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4)進行光刻，將需要的波導(dǎo)圖形用光刻膠保護起來，如（e）所示；5)采用反應(yīng)離子刻蝕（RIE）工藝，將非波導(dǎo)區(qū)域刻蝕掉，如（f）所示；6)去掉光刻膠，采用FHD或者CVD工藝，在波導(dǎo)芯層上再覆蓋一層SiO2，其中摻雜磷、硼離子，作為波導(dǎo)上包層，如（g）所示；7)通過退火硬化工藝，使上包層SiO2變得致密均勻，如（h）所示。
二氧化硅波導(dǎo)工藝中的幾個關(guān)鍵點：1)材料生長和退火硬化工藝，要使每層材料的厚度和折射率均勻且準確，以達到設(shè)計的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)參數(shù)，盡量減少材料內(nèi)部的殘留應(yīng)力，以降低波導(dǎo)的雙折射效應(yīng)；2)RIE刻蝕工藝，要得到陡直且光滑的波導(dǎo)側(cè)壁，以降低波導(dǎo)的散射損耗；3)RIE刻蝕工藝總會存在Undercut，要控制Undercut量的穩(wěn)定性，作為布版設(shè)計時的補償依據(jù)。巴中大型光纜一米多少錢,2芯光纜廠家
